Results forSIHG44N65EF-GE3-HXY

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）、29A最大连续漏极电流（ID）及60mΩ低导通电阻（RDON），支持高功率密度与高效率电路设计。器件具备优异的开关性能和热稳定性，适用于电源适配器、储能系统、智能家电以及电机驱动等各类高性能电子设备中的功率控制应用，可满足高频、高压工作环境的技术需求。