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这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高5.3A的连续漏极电流（ID/A），并在30V的漏源电压（VDSS/V）下可靠工作。其导通电阻（RDSON/mR）为35毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下提供稳定的性能。此MOSFET适用于便携设备、消费电子产品中的电源管理电路，如电池充电控制、LED驱动器等领域，能够实现精确的电流控制与高效的能量转换。

台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；