Results forsi2301(A1SHB)

特性：P沟道MOSFET。漏源电压 -20 V，连续漏极电流 -2.8 A。采用先进的沟槽工艺技术，提供优异的导通电阻特性和低栅极电荷。采用SOT-23表面贴装封装。应用：负载开关、DC-DC 转换器、便携式设备和工业控制等领域。