NXP SemiconductorsНидерланды
NOW NEXPERIA BCW30 - SMALL SIGNA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер32 V
Ток коллектора100 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE2152mA
Мощность250 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Power - Max | 250 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 215 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Другое | |
| Mfr | NXP Semiconductors |
| Product Status | Active |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.