Поиск аналогов электронных компонентов
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
Micron Technology Inc.США

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

ПроизводитсяMemory48 TSOP type I

IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA

NAND Flash память 8Gb x8 в корпусе 48-контактный TSOP I, напряжение питания 2.7V-3.6V, поддерживает расширенный температурный диапазон, имеет аппаратную защиту от записи.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNAND Flash
Объём памяти8 Gbit
ИнтерфейсParallel
Напряжение питания2.7 ~ 3.6 V

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 25
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
Тип памятиNAND Flash Memory
Ёмкость8Gb
Шишина шиныx8
Напряжение питанияMin: 2.7V, Typ: 3.3V, Max: 3.6V
Корпус48 TSOP type I (NEW version, 8Gb device only, lead-free)
Рабочая температураExtended: Min: -40°C, Max: +85°C
КлассExtended temperature
RoHSLead-free
Рекомендуемые условия эксплуатацииVcc: 2.7V-3.6V; TA: -40°C to +85°C (Extended)
Абсолютные максимальные значенияVIN: -0.6V to +4.6V; TSTG: -65°C to +150°C
Время случайного чтения25µs
Время последовательного чтения30ns (3V x8 only)
Время программирования страницыTyp: 300µs, Max: 700µs
Время стирания блокаTyp: 2ms, Max: 3ms
Долговечность100,000 PROGRAM/ERASE cycles
Срок хранения данных10 years
Размер страницыx8: 2,112 bytes (2,048 + 64 bytes)
Размер блока64 pages (128K + 4K bytes)
Входная ёмкостьMax: 40 pF (TC=25°C, f=1MHz, VIN=0V)
Входная/выходная ёмкостьMax: 40 pF (TC=25°C, f=1MHz, VIN=0V)
Время цикла записиMin: 30 ns (x8)
Длительность импульса WE#Min: 15 ns (x8)
Время установки CE#Min: 15 ns (x8)
Время установки данныхMin: 10 ns (x8)
Время удержания данныхMin: 5 ns (x8)
Все параметры (18)РазвернутьСвернуть
Питание
Voltage - Supply1.7V ~ 1.95V
Условия эксплуатации и корпус
Memory Size8Gbit
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
PackageTray
Package / Case63-VFBGA
Supplier Device Package63-VFBGA (9x11)
Другое
Base Product NumberMT29F8G08
DigiKey ProgrammableVerified
Memory FormatFLASH
Memory InterfaceParallel
Memory Organization1G x 8
Memory TypeNon-Volatile
MfrMicron Technology Inc.
Product StatusActive
Series-
TechnologyFLASH - NAND
Write Cycle Time - Word, Page-

Распиновка и корпус

Figure 4: Pin Assignment (Top …
Figure 4: Pin Assignment (Top …
Корпус: 48 TSOP type I (NEW version, 8Gb device only, lead-free)
ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1DNU(Не использовать)
2DNU(Не использовать)
3DNU(Не использовать)
4DNU(Не использовать)
5DNU(Не использовать)
6DNU(Не использовать)
7DNU(Не использовать)
8DNU(Не использовать)
9DNU(Не использовать)
10DNU(Не использовать)
11DNU(Не использовать)
12DNU(Не использовать)
13DNU(Не использовать)
14DNU(Не использовать)
15DNU(Не использовать)
16DNU(Не использовать)
17DNU(Не использовать)
18DNU(Не использовать)
19DNU(Не использовать)
20DNU(Не использовать)
21DNU(Не использовать)
22DNU(Не использовать)
23DNU(Не использовать)
24DNU(Не использовать)
25DNU(Не использовать)
26DNU(Не использовать)
27DNU(Не использовать)
28DNU(Не использовать)
29DNU(Не использовать)
30DNU(Не использовать)
31DNU(Не использовать)
32DNU(Не использовать)
33DNU(Не использовать)
34DNU(Не использовать)
35DNU(Не использовать)
36DNU(Не использовать)
37DNU(Не использовать)
38DNU(Не использовать)
39DNU(Не использовать)
40DNU(Не использовать)
41DNU(Не использовать)
42DNU(Не использовать)
43DNU(Не использовать)
44DNU(Не использовать)
45DNU(Не использовать)
46DNU(Не использовать)
47DNU(Не использовать)
48DNU(Не использовать)

Изображения

MT29F8G08ABBCAH4-IT:CФото · Каталог ChipCross

Документы

DatasheetDatasheet · 994.3 KB · 2026-10-29
Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.