NXG2EA070R170

氮化镓晶体管

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技术参数

电源
ID-最大漏极电流	10.5A
VDSS-最大漏源电压	700V
最大漏源电流Id	10.5A
漏源击穿电压Vdss	700V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗	170mΩ
最大漏源导通阻抗Ron	170mΩ
环境与封装
封装类型1	DFN
其他
Qg-栅极电荷	4.4nC
引脚数量1	5
栅极电荷Qg	4.4nC

技术资料

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