NexGen

NXG2EA120R085

氮化镓晶体管
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技术参数

电源
ID-最大漏极电流25A
VDSS-最大漏源电压1200V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗85mΩ
环境与封装
封装类型1DFN
其他
Qg-栅极电荷18.7nC
引脚数量15

技术资料

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