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电源
IDM-脉冲电流
12A
ID-最大漏极电流
9.4A
VDSS-最大漏源电压
650V
Vgs(th)-门槛电压
1.6V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗
340mΩ
环境与封装
封装类型1
DFN8*8
其他
Ciss-输入等效电容
80pF
Pd-功率耗散
62W
Qg-栅极电荷
1nC
引脚数量1
8
栅源耐压Vgs-
10V
技术资料
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