搜索结果:AO3402
共 32 条- 匹配型号32
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产品搜索结果共 32 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L | 数据手册7 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
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| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | N沟道,30V 4A | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 商品目录 场效应管(MOSFET);类型 1个N沟道;漏源电压(Vdss) 30V;连续漏极电流(Id) 5A;功率(Pd) 1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs) 3.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds) 240pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds) 30pF@15V;工作温度 -55℃~+150℃@(Tj) | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 30V 连续漏极电流(Id): 4A 功率: 1.4W | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。 | 数据手册7 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5A | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOS场效应管 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5A | 数据手册16 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | N沟道,电流:4.0A,耐压:30V | 数据手册6 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | AO3402 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 耐压:30V 电流:3A | 数据手册9 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | AO3402 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | AO3402 SOT-23场效应管 | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 | 查看详情 |
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