搜索结果:AO3402

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
单 FET,MOSFET

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

N沟道,30V 4A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

商品目录 场效应管(MOSFET);类型 1个N沟道;漏源电压(Vdss) 30V;连续漏极电流(Id) 5A;功率(Pd) 1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs) 3.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds) 240pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds) 30pF@15V;工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 30V 连续漏极电流(Id): 4A 功率: 1.4W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:30V 电流:5A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOS场效应管

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:30V 电流:5A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

N沟道,电流:4.0A,耐压:30V

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

AO3402

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

耐压:30V 电流:3A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

AO3402

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单 FET,MOSFET

AO3402 SOT-23场效应管

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单 FET,MOSFET

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

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