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60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

场效应管(MOSFET)

MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：313mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,300mA

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管额定漏极电流为0.1安培，漏源击穿电压60伏，导通电阻1300毫欧，栅源电压耐受值20伏。器件适用于低压信号切换及小功率负载驱动场景，常见于便携式仪器电源管理、电池保护回路及小型控制模块。其参数特性支持在紧凑电路设计中实现高效的开关控制，满足对空间布局与基础电气性能有明确要求的电子设备应用需求。

该N沟道场效应管额定漏极电流0.1A，漏源击穿电压60V，导通电阻1300毫欧，栅源耐压20V。器件适用于低压开关与信号切换场景，如便携设备电源管理、电池保护及负载控制电路。其60V耐压支持中等电压应用，1300毫欧导通电阻有助于降低功耗，适合对空间与能效有要求的消费电子及通信模块设计。

N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V

N沟道；电压：60V；电流：0.3A；导通电阻：2000(mΩ)

漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：360mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V,0.2A 耗散功率(Pd)：260mW 阈值电压(Vgs(th))：4.5V@250uA