搜索结果:BSS84PH6327(ES)

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

带ESD防护 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-150mA 功率(Pd):100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.6V@-250uA

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