搜索结果:IRFR5305TRPBF
共 7 条- 匹配型号7
- 有数据手册6
- 涉及品牌5
产品搜索结果共 7 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 60V 20A TO-252-2L | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道,-60V,-25A,:22mΩ@-10.0V,-10A,-1.6V@-250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计。TO252;P—Channel沟道,-60V;-35A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品,实现卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A | 数据手册2 | 查看详情 |
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