Поиск аналогов электронных компонентов

1N5815R

ПроизводитсяDiodes - Rectifiers - Single

RECTIFIER DIODE

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение125 V
Средний выпрямленный ток20 A
Прямое падение напряжения950 mVМакс. · 20 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 125 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If950 mV @ 20 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeStud Mount
Operating Temperature - Junction-65°C~175°C
PackageBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device PackageDO-4 (DO-203AA)
Другое
Base Product Number1N5815
Capacitance @ Vr, F300pF @ 10V, 1MHz
Diode TypeStandard, Reverse Polarity
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Документы