TDD(台冠电子)Китай
1N5819WT
Single Diodes二极管配置 独立式；正向压降 (VF) 0.38V@100mA; 直流反向耐压 (VR) 40V; 平均整流电流 (IF) 1A; 正向浪涌电流 (IFSM):10A; 反向电流 (IR) 5μA@40V; 非重复峰值浪涌电流 10A; 工作结温范围 -55℃~+125℃
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.