LGE(鲁光)Китай
商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 115mA；功率(Pd) 380mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока115 mA
Сопротивление в открытом состоянии5 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |