onsemiСША
MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток50 V
Постоянный ток стока100 mA
Сопротивление в открытом состоянии7.8 ΩМакс. · 50mA
Пороговое напряжение1.3 VМакс. · 100μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Bag |
| Package / Case | SC-72 |
| Supplier Device Package | 3-SPA |
| Другое | |
| Base Product Number | 5LN01 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6.6 pF @ 10 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8Ohm @ 50mA, 4V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 100µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.