Поиск аналогов электронных компонентов

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии50 mΩМакс. · 4A
Пороговое напряжение1.3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case3-SMD, SOT-23-3 Variant
Supplier Device PackageSOT-23-3
Другое
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds645 pF @ 15 V
MfrAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Product StatusNot For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Изображения

Документы