LGE(鲁光)Китай
商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 5A；功率(Pd) 1.5W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,4A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 3.1nC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 240pF@15V；反向传输电容(Crss@Vds) 30pF@15V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии50 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |