TDD(台冠电子)Китай

MOS配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds)-20V；连续漏极电流（Id)-4A；栅极开启电压 (Vgs (th))-0.8~-2.5V；导通内阻 (Rds (on))≤55mΩ@Vgs=-4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃