Поиск аналогов электронных компонентов
AO3423-HXY

AO3423 P沟道MOSFET,选用小巧型SOT-23-3L封装,专为高效能、低功耗电路设计。该器件拥有出色电气参数,最大工作电压VDSS高达20V,可承受连续电流ID4.1A,而其优秀的导通电阻仅34mR,有效降低了功率损耗并提升了系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等领域,AO3423 以卓越的性能表现和高度可靠性,成为电路设计师的理想元件选择。

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока4.1 A
Сопротивление в открытом состоянии45 mΩМакс. · 4.5V
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
Другое
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
数量1个P沟道

Изображения

Документы