Поиск аналогов электронных компонентов
GD(固锝)Китай
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-集基级击穿电压30V
VCEO-CE结击穿电压30V
VCEO-集射级击穿电压30V
VEBO-射基级击穿电压6V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率250MHZ
hFE-最小直流增益420
Hfe-最小直流增益420
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT323
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.25W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.