Поиск аналогов электронных компонентов
HT(金誉)Китай
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流1A
VCBO-CB结击穿电压45V
VCBO-集基级击穿电压45V
VCEO-CE结击穿电压45V
VCEO-集射级击穿电压45V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益63
Hfe-最小直流增益40
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT89
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散0.5W
Pd-最大功率耗散1.35W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.