DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток8.8 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 2 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8.8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Cut Tape (CT); Tape & Box (TB) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | Global Power Technology-GPT |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.