KTP(科泰普)Китай
IKG50N1200DH(KTP)
IGBT Devices and Modules - Unspecified TypeIGBT单管N沟道，VCE=1200V,IC=50A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер1.2 kV
Ток коллектора50 AМакс.
Мощность492 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 50A |
| Другое | |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 耗散功率(Pd) | 492W |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.