Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока150 A
Питание
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)150A
Другое
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)220W

Документы