HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
IRLML6302PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款IRLML6302PbF MOS管采用先进的P沟道技术,封装为小巧耐用的SOT-23形式。其拥有卓越的电气性能,工作电压高达20V,连续电流可达2.3A,低至95mΩ的导通电阻确保了高效的能源转换与传输。适用于各类电源管理、电机驱动等应用场景,是您设计电路的理想选择,兼具高性能与可靠性。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока2.3 A
Сопротивление в открытом состоянии170 mΩМакс. · 2.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |