HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
输入偏置电流IB:5nA,输入失调电压(Vos):5mV,
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 输入偏置电流IB | 5nA |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | SOP-8 |
输入偏置电流IB:5nA,输入失调电压(Vos):5mV,
| Питание | |
|---|---|
| 输入偏置电流IB | 5nA |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | SOP-8 |