minos(迈诺斯)Китай
MLG10T65FDL-A
IGBT Devices and Modules - Unspecified Type采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=10A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.