minos(迈诺斯)Китай
MLG50T65FDK
IGBT Devices and Modules - Unspecified Type采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=50A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер650 V
Ток коллектора100 AМакс.
Мощность300 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| Другое | |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.