ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай
HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер150 V
Ток коллектора600 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE6010mA
Мощность350 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Power - Max | 350 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Другое | |
| Mfr | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |