Panjit International Inc.Тайвань, Китай
MMBTA42W
Single Bipolar TransistorsВсе аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 0.5A |
| VCBO-CB结击穿电压 | 300V |
| VCBO-集基级击穿电压 | 300V |
| VCEO-CE结击穿电压 | 300V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 300V |
| VEBO-EB结击穿电压 | 6V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 6V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| fT-变换频率 | 50MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 100 |
| Hfe-最小直流增益 | 40 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | SOT323 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| Другое | |
| Pd-功率耗散 | 0.2W |
| Pd-最大功率耗散 | 0.25W |
| VCE(sat)-CE结饱和压降 | 0.5V |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.2V |
| 引脚数量1 | 3 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.