Поиск аналогов электронных компонентов
MMBTA42W_R1_00001
Panjit International Inc.Тайвань, Китай

MMBTA42W_R1_00001

Single Bipolar TransistorsSOT-323

NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер300 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE4030mA
Мощность150 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Power - Max150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)300 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition50MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Supplier Device PackageSOT-323
Другое
Base Product NumberMMBTA42
MfrPanjit International Inc.
PackagingTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Part StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA

Изображения

Документы