HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
MMBTA56WT1G-HXY
Bipolar Transistors - Unspecified Type这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO),适用于需要中等功率处理能力的应用。其直流电流增益HFE范围为100至300,确保了在信号放大应用中的高效性能。特征频率FT达到100MHz,保证了在高频操作环境下的稳定性和响应速度。此三极管非常适合于构建音频放大器、电源管理电路及各类信号处理模块,提供可靠且灵活的设计选择,满足多种电子设备的需求。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер150 V
Ток коллектора600 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE30010mA
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@10mA,5V |
| Другое | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |