Поиск аналогов электронных компонентов
CBI(创基)Китай
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流0.5A
VCBO-集基级击穿电压40V
VCEO-集射级击穿电压32V
VEBO-射基级击穿电压5V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率200MHZ
hFE-最小直流增益82
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT323
Другое
Pd-功率耗散0.2W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.4V
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.