Поиск аналогов электронных компонентов

NXG2EA120R170

GaN Transistors
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流13A
VDSS-最大漏源电压1200V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗170mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN
Другое
Qg-栅极电荷9.4nC
引脚数量15

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.