Поиск аналогов электронных компонентов

PCGA200T65NF8

Single IGBTs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC(25℃)-最大集电极电流200A
ICM-集电极峰值电流600A
VCES-集射极阻断电压650V
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1Die
Другое
Eoff-关断损耗能量NmJ
Eon-开通损耗能量NmJ
Qg-栅极电荷229nC
tf-下降时间177ns
VCE(sat)-集射级饱和压降1.53V
Vges-门极发射极耐压20V
Vge(th)-门极发射极阈值6.5
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量10
软开关0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.