Поиск аналогов электронных компонентов
RS1B
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

RS1B

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.3 VМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-214AC, SMA
Supplier Device PackageDO-214AC (SMA)
Другое
Capacitance @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)150 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.