Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1.15 VМакс. · 3 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 3 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.