BORN(伯恩半导体)Китай
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Коэффициент усиления hFE120
| FT(MHZ) | 150 |
| HFE | 120~400 |
| IC/IB@ VCE(sat)Max. (mA) | -500/-50 |
| Ic(mA) | -500 |
| PCM(mW) | 200 |
| Polarity | PNP |
| VCE/IC @HFE (V)/(mA) | -1/-50 |
| VCEO(V) | -25 |
| VCE(sat) Max. (V) | -0.6 |