Rohm SemiconductorЯпония
DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток10 A
Прямое падение напряжения1.55 VМакс. · 10 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C(Max) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Другое | |
| Base Product Number | SCS210 |
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.