Поиск аналогов электронных компонентов
SI2312A
UMWМалайзия

SI2312A

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSOT-23

20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии26 mΩМакс. · 5A
Пороговое напряжение850 mVМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)750mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
MfrUMW
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 5A, 4.5V
SeriesUMW
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.