VBsemi(微碧半导体)Китай
SI2333-TP-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-20V；-3.5A；RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока3.5 A
Сопротивление в открытом состоянии90 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |