HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款肖特基二极管拥有5A的正向电流(IF)承载能力和60V的反向电压(VR)耐受度,适用于多种电子装置中的高频开关应用。其正向压降(VF)为0.7V,有助于减少电力损耗,提高效率。反向漏电流(IR)控制在100微安以下,确保了较高的阻断特性。此外,它能够承受高达120A的瞬态正向浪涌电流(IFSM),使其成为需要应对瞬时电流峰值场合的理想选择。该二极管可用于诸如适配器、充电器以及消费类电子产品中的整流与保护电路。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения700 mVМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMAF |
| Другое | |
| IF | 5A |
| IFSM | 120A |
| IR | 100uA |
| VF | 0.7V |
| VR | 60V |