Поиск аналогов электронных компонентов
T2000BB45G

T2000BB45G

IGBT Modules
Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC(25℃)-最大集电极电流2000A
ICM-集电极峰值电流4000A
IF-二极管正向电流2000A
VCES-集射极阻断电压4500V
VRRM-反向重复峰值电压3.55V
Другое
Eoff-关断损耗能量12500mJ
Eon-开通损耗能量14000mJ
Pd-功率耗散15500W
Qg-栅极电荷14500nC
VCE(sat)-集射级饱和压降3.5V
Vge(th)-门极发射极阈值5.1V
内置整流二极管1
内置整流桥堆0
单位温升N℃/W
隔离型IGBT0

Изображения

Документы