HGSEMI(华冠)Китай
JFET低功耗双运放
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 工作电压（Vcc）(v) | ±3~±18 |
| 输入偏置电流 Iib（MAX）(PA) | <6 |
| 静态功耗Iq(Typ)( mA) | 2 |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 增益带宽积GBW(Typ)(MHZ) | 1 |
| 失调电压 VOS(mV) | 200 |
| 等效输入噪声1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 3.5 |
| 转换速率Slew rate(Typ)(V/us) | <200 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装Package | 0~70°C |
| 工作温度 TA Range(C) | 42 |