Поиск аналогов электронных компонентов
TPH3205WSBQA

TPH3205WSBQA

Not For New DesignsTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-247-3

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока35 A
Сопротивление в открытом состоянии62 mΩМакс. · 22A
Пороговое напряжение2.6 VМакс. · 700μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3
Другое
Base Product NumberTPH3205
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 400 V
MfrTransphorm
Product StatusNot For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 22A, 8V
SeriesAutomotive, AEC-Q101
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 700µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.