TransphormСША
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии130 mΩМакс. · 13A
Пороговое напряжение2.6 VМакс. · 300μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mfr | Transphorm |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Series | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.