TPH3208PD

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220AB

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток650 V

Постоянный ток стока20 A

Сопротивление в открытом состоянии130 mΩМакс. · 13A

Пороговое напряжение2.6 VМакс. · 300μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	96W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C~150°C
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Supplier Device Package	TO-220AB
Другое
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
Mfr	Transphorm
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13A, 8V
Series	-
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±18V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.