HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7mΩ。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低传导损耗，提升系统效率。适用于高功率密度的电源转换、电机驱动、电池充放电控制以及高频开关电路等应用，能够在持续高负载或频繁开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。