VBsemi(微碧半导体)Китай
ZXMC6A09DN8TA-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOP8；N+P--Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока5.3 A
Сопротивление в открытом состоянии29 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |